MOS管是一種金屬氧化物半導體場效應晶體管；它由金屬、氧化物和半導體材料構(gòu)成；分為N溝道型（NMOS）和P溝道型（PMOS）兩種類型；具有低功耗、高速度、小型化、可靠性優(yōu)點。
工作原理是通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)漏極和源極之間的電流流動，實現(xiàn)信號放大或開關操作；由于MOS管結(jié)構(gòu)簡單，可以實現(xiàn)高度集成的電路設計，在現(xiàn)代電子技術中起著不可忽視的作用。
(資料圖片僅供參考)
可廣泛應用于電子設備中，如集成電路、電源管理、通信系統(tǒng)等領域；MOS管在集成電路中作為邏輯門、存儲器和微處理器等關鍵組件，可以實現(xiàn)高度集成和小型化。在電源管理中，MOS管用于電池管理、功率放大和開關控制等。在通信系統(tǒng)中，MOS管用于射頻功率放大器、調(diào)制解調(diào)器和濾波器等。
由工采網(wǎng)代理的MPF12N65是一款高壓平面MOS管；采用N-type溝道形式；TO-220F封裝；可應用于LED電源/適配器/PD快充等等。
MPF12N65特性：
額定電壓（電流）：650V-12A
柵極開啟電壓：2.0V～4.0V
導通電阻：典型值0.65Ω，絕對值為0.8Ω
柵極電荷量(nC)：40.2
輸入結(jié)電容(pF)：1780pF
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原文標題 : N-溝道功率MOSFET-MPF12N65
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