第三代半導(dǎo)體技術(shù)與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開，詳見后文

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8月28日，天岳先進披露半年度業(yè)績報告。2023年上半年，公司實現(xiàn)營收4.38億元，同比增長172.38%；扣非凈利潤-1.1億元，虧損幅度進一步擴大。

天岳先進表示，2022 年公司調(diào)整產(chǎn)能布局，導(dǎo)電型襯底產(chǎn)能產(chǎn)量持續(xù)提升，2023年上半年公司營業(yè)收入主要來自于導(dǎo)電型產(chǎn)品銷售。截至目前，公司濟南工廠已轉(zhuǎn)型為導(dǎo)電型產(chǎn)品為主，產(chǎn)量及營業(yè)收入較同期大幅增長，同時，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整過程中影響單位成本的不利因素逐步消除，并帶動綜合毛利率由去年同期-10%增加到11.3%。由于公司新建產(chǎn)能上海臨港工廠尚處于產(chǎn)能產(chǎn)量爬坡階段，單位產(chǎn)品成本較高，毛利率仍低于正常經(jīng)營水平，對公司綜合毛利率產(chǎn)生不利影響。

新建產(chǎn)能前期費用支出及所儲備的人員數(shù)量較大導(dǎo)致管理費用上漲；公司加強研發(fā)投入，包括 8 英寸導(dǎo)電型產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化研發(fā)，液相法等前瞻技術(shù)研發(fā)，大尺寸半絕緣產(chǎn)品研發(fā)，以及高品質(zhì)導(dǎo)電型產(chǎn)品的持續(xù)研發(fā)投入等研發(fā)支出較大；上述費用的增加減少了報告期凈利潤和歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤。

天岳先進已經(jīng)實現(xiàn) 6 英寸導(dǎo)電型襯底、6 英寸半絕緣型襯底、4 英寸半絕緣襯底等產(chǎn)品的規(guī)?；?yīng)。公司高品質(zhì) 6 英寸產(chǎn)品已經(jīng)獲得行業(yè)下游客戶的廣泛認可。報告期內(nèi)公司營業(yè)收入主要來自于 6 英寸導(dǎo)電型產(chǎn)品銷售。

上半年，天岳先進與英飛凌簽訂了合作協(xié)議，公司將為英飛凌供應(yīng)用于制造碳化硅半導(dǎo)體的高質(zhì)量并且有競爭力的 6 英寸碳化硅襯底和晶棒，第一階段將側(cè)重于 6 英寸碳化硅材料，但公司也將助力英飛凌向 8 英寸碳化硅晶圓過渡。該協(xié)議的供應(yīng)量預(yù)計將占到英飛凌長期需求量的兩位數(shù)份額。公司去年與某客戶簽訂的 13.93 億元的框架協(xié)議正在按照協(xié)議約定履行產(chǎn)品交付。

天岳先進稱，公司與國內(nèi)外知名客戶開展合作。上半年公司高品質(zhì)碳化硅襯底獲得國際客戶的認可，產(chǎn)品加速“出?！?。公司已經(jīng)與英飛凌、博世等行業(yè)下游電力電子、汽車電子領(lǐng)域的國內(nèi)外知名企業(yè)開展了廣泛合作，有助于共同推動碳化硅材料和器件的滲透應(yīng)用。

在 8 英寸產(chǎn)品布局上，天岳先進具備量產(chǎn) 8 英寸產(chǎn)品能力，上半年已開展客戶送樣驗證，并實現(xiàn)了小批量銷售，預(yù)期產(chǎn)銷規(guī)模將持續(xù)擴大。

另外，天岳先進積極優(yōu)化產(chǎn)能布局。目前已形成山東濟南、上海臨港、山東濟寧碳化硅半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地。自去年以來，公司加大了導(dǎo)電型產(chǎn)品的產(chǎn)能產(chǎn)量，2023 年 5 月新建的上海臨港智慧工廠開啟了產(chǎn)品交付，目前正處于產(chǎn)量的持續(xù)爬坡階段。根據(jù)目前公司在手訂單及合作客戶需求情況預(yù)計，臨港工廠第一階段年 30 萬片導(dǎo)電型襯底的產(chǎn)能產(chǎn)量將提前實現(xiàn)，上海臨港工廠將成為公司導(dǎo)電型碳化硅襯底主要生產(chǎn)基地。

此外，公司正規(guī)劃繼續(xù)通過技術(shù)提升和增加資本投入以進一步提高臨港工廠產(chǎn)能產(chǎn)量。公司在日本設(shè)立研發(fā)及銷售中心，積極開拓海外市場。目前海外市場對公司產(chǎn)品的需求旺盛。

來源：集微網(wǎng)

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體是戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的核心材料，在《“十四五”規(guī)劃和2035年遠景目標(biāo)綱要》中被列為重點；碳中和與新能源體系變革的背景下，在風(fēng)電、光伏、新能源汽車、儲能等行業(yè)應(yīng)用前景廣闊。

據(jù)行業(yè)機構(gòu)預(yù)測，到2026年，碳化硅產(chǎn)品市場將達35億美元，氮化鎵功率產(chǎn)品市場需求增長到21億美元。近年來，國內(nèi)企業(yè)如三安、英諾賽科、士蘭明鎵等不斷布局氮化鎵項目，全產(chǎn)業(yè)鏈項目約26個，國外龍頭如英飛凌等也正積極布局。

在碳化硅功率器件市場，受益于特斯拉的應(yīng)用需求，意法半導(dǎo)體領(lǐng)先全球市場；Wolfspeed、安森美和羅姆等廠商跟隨。襯底、外延、芯片三個環(huán)節(jié)技術(shù)含量密集，是投資和創(chuàng)新重點。碳化硅6英寸襯底技術(shù)已經(jīng)穩(wěn)定導(dǎo)入產(chǎn)業(yè)，8英寸襯底正在探索商業(yè)化量產(chǎn)，其中尤以襯底大廠Wolfspeed推進最為迅速，國內(nèi)企業(yè)在提供樣品或小規(guī)模供貨階段。

第三代半導(dǎo)體技術(shù)與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開。重點關(guān)注碳化硅、氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈前景，最新襯底、外延、器件技術(shù)與項目投資，碳化硅、氮化鎵長晶技術(shù)，凈化工程與EPC，新興化合物半導(dǎo)體前沿技術(shù)與應(yīng)用。參觀第三代半導(dǎo)體重點企業(yè)與項目。

會議主題包括但不限于

國際形勢對中國第三代半導(dǎo)體發(fā)展的影響

第三代半導(dǎo)體市場及產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇

6寸與8寸SiC項目投資與市場需求

SiC長晶工藝技術(shù)與設(shè)備

凈化工程與EPC工程項目實踐

8英寸SiC國產(chǎn)化進程和技術(shù)突破

SiC市場以及技術(shù)發(fā)展難題&解決方案

SiC與GaN外延片技術(shù)進展

大尺寸GaN長晶難點及技術(shù)展望

GaN材料技術(shù)進展

SiC與GaN器件與下游應(yīng)用

功率器件封裝技術(shù)與材料

新興化合物半導(dǎo)體進展：氧化鎵、氮化鋁、金剛石、氧化鋅

工業(yè)參觀與考察（重點企業(yè)或園區(qū)）

最新日程如下

*以上演講報告列表將隨著會議邀請工作進展不斷更新，最終版以會場發(fā)布為準。

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中國大陸半導(dǎo)體大硅片項目表（月度更新）

中國大陸再生晶圓項目表（月度更新）

中國大陸8英寸晶圓廠項目表（月度更新）

中國大陸12英寸晶圓廠項目表（月度更新）

中國大陸半導(dǎo)體封測項目表（月度更新）

中國大陸電子特氣項目表（月度更新）

中國大陸半導(dǎo)體濕電子化學(xué)品項目表（月度更新）

中國大陸晶圓廠當(dāng)月設(shè)備中標(biāo)數(shù)據(jù)表（月度更新）

中國大陸上月半導(dǎo)體前道設(shè)備進口數(shù)據(jù)表（月度更新）

中國大陸半導(dǎo)體大硅片項目地圖（月度更新）

中國大陸8英寸晶圓廠項目地圖（月度更新）

中國大陸12英寸晶圓廠項目地圖（月度更新）

中國大陸半導(dǎo)體封測項目分布圖（月度更新）

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